低介电常数材料或称low-K材料是当前半导体行业研究的热门话题。通过降低集成电路中使用的介电材料的介电常数，可以降低集成电路的漏电电流，降低导线之间的电容效应，降低集成电路发热等等。低介电常数材料的研究是同高分子材料密切相关的。传统半导体使用二氧化硅作为介电材料，氧化硅的介电常数约为4。真空的介电常数为1，干燥空气的介电常数接近于1。
摘要：本文概述了低介电常数材料（Low k Materials）的特点、分类及其在集成电路工艺中的应用。指出了应用低介电常数材料的必然性，最后举例说明了低介电常数材料依然是当前集成电路...
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综述了制备uls I低介电常数材料的各种CVD技术。
Various CVD technologies for preparing low dielectric constant materials in ULSI circuits are summarized.
本文介绍了有关低介电常数材料薄膜的制备方法和基本特性的检测技术。
In this paper, we introduced the technologies used in preparation and test of low-dielectric-constant materials.
对目前已研究和使用过的低介电常数和低烧结温度基板材料及综合性能，流延浆料有机添加剂进行了对比分析。
The low sintering and low dielectrics substrate materials and their properties, and the organic additives for tape casting slurry are compared and analyzed.
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