化学机械研磨，晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻(Lithography)技术对晶圆表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越来越高，IBM公司于1985年发展CMOS产品引入，并在1990年成功应用于64MB的DRAM生产中。1995年以后，CMP技术得到了快速发展，大量应用于半导体产业。化学机械研磨亦称为化学机械抛光，其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，是机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。
半导体制程技术包括氧化、扩散、热处理、合金化、再流动制程、铜制程及化学机械研磨制程简介。
Introduction to semiconductor manufacturing technology including oxidation, diffusion, alloying, re-flow process, copper process and chemical-mechanical polishing.
利用一化学机械研磨制程，移除该氧化 物层的部分区域，以使该填满沟槽的氧化物层与该第一多晶硅层 大体上齐平。
Through a CMP process, portions of the oxide layer are removed to substantially planarize the trench-filled oxide layer as the first polysilicon layer.
分析了W - CMP的机理，抛光液对W材料表面具有化学腐蚀和机械研磨的双重作用，对抛光速率有着重要的影响。
The mechanism of W-CMP was analyzed, the slurry makes a dual function of chemical erosion and mechanical lapping, has an important influence on the polishing rate.
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