专利：半导体基底上的金属垫的结构 电层内，用以电性连接半导体基底上的组件。再者，第一金属垫单元的周边形状是多边形且每一内角大于90°，用以在进行化学机械研磨过程(chemicalmechanical polishing，CMP)期间，防止应力集中于第一金属垫单元的周边顶角处而造成介电层龟裂的情形，进而提高产品的质量。 申
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化学机械研磨过程
Chemical mechanical grinding process
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研究了重晶石在搅拌磨湿法超细研磨过程中产生的机械力化学效应。
The mechanochemical effect of barite particles is studied during the wet ultrafine grinding by using stirred mill.
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