热离子发射是金属或半导体表面电子具有热运动的动能足以克服表面势垒而产生的电子发射现象。金属或半导体向真空发射电子所需的最低能量称为逸出功或功函数，即表面势垒高度。在金属半导体接触界面同样存在热离子发射，此时所要克服的势垒由金属半导体接触势垒决定。
仪器装置与实验技术_电子资料文库 关键词 质谱,热离子发射,温度测量 [gap=8678]Keywords Mass spectrometry , thermal ion emission , measurement of temperature
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Generally the inorganic metal-base transistors can be described as two Schottky junctions in an inorganic semiconductor/metal/inorganic semiconductor structure, and the charge injection occurs via thermionic emission.
无机金属基极晶体管可以简单地描述为由两个背对背的肖特基结组成的无机半导体-金属-无机半导体结构,其载流子注入是通过热离子发射来实现的。
参考来源 - 空穴型有机/无机混合型金属基极晶体管的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
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