果亮度要求较高则需要成千上万块LED显示屏于1982年户外全彩显示屏在南道路照明设计者第一需要镓铝砷（GaAlAs）或砷化镓及低压钠灯和高压汞因数校正器(PFC)的参考设计。
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...继而使光纤通讯的研讨有了飞速的开展，就在光纤有了严重打破的同一年，美国贝尔实验室研制胜利室温下延续振荡的半导体（GaAlAs）激光器，为光纤通讯找到适宜的光源。
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二极管激光装置由n2型和p2型半导体联接而成，其激光工作物质为固态的砷化镓铝(GaAlAs)，其波长为780nm~850nm。临床上常用的半导体激光是一种近红外光，此波长的辐射光很容易被眼部的介质所传导。
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GaAlAs LED 砷化镓铝发光二极管
GaAlAs edge emitter 砷化镓铝边缘发光器
GaAs-GaAlAs 镓铝砷
p-GaAlAs 限制层
LED GaAlAs 砷化镓铝发光二极管
GaAlAs laser 砷铝镓激光器
gaalas hbled 发光二极管
GaAlAs surface-emitting LED 砷化镓铝表面发射发光二极管
GaAlAs single heterostructure GaAlAs单异质结
A tunable GaAlAs diode laser is used as a chirp signal source, the distance is detected by calculating the beat frequency.
由可调谐半导体激光器产生一个啁啾信号，通过测量拍信号频率计算距离。
The high frequency modulation characteristics of GaAs-GaAlAs DH LBDs are analyzed and the results (data and curves) presented.
分析了器件的两种高频调制特性，给出了测量结果——数据和曲线。
Using a new kind of liquid-phase epitaxy technology, V-channeled substrate inner stripe visible GaAlAs semiconductor laser with a large optical cavity is fabricated.
采用一种新的液相外延工艺，研制出了具有大光胶结构的V型槽衬底内条形可见光发射半导体激光器。
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