使用双极晶体管技术的集成电路存储器进行比较的基础上的各种形式的绝缘栅场效应晶体管（IGFET）的记忆。与双极型晶体管接入电路的p-沟道绝缘栅场效应晶体管的存储单元的组合似乎提供了一个理想的特性组合。
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其它绝缘栅场效应管 PMOS管 1.4.2 绝缘栅场效应管(IGFET) 121 饱和漏极电流I DSS : u GS =0时的i D 值 夹断电压U GS(off) : i D 0时的u GS 值 开启电压U GS(th) : 增强型管刚开始导电时...
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4）了解绝缘栅场效应管的构造,类型,特性曲线和主要参数,,场效应管可分为两大类,结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET),这里我们只简单介绍绝缘栅型场效应管,绝缘栅型场效应管,也称金属氧化物半导体三极管(Metal,Oxide,Semiconductor,FET,简写..
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4）了解绝缘栅场效应管的构造,类型,特性曲线和主要参数,,场效应管可分为两大类,结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET),这里我们只简单介绍绝缘栅型场效应管,绝缘栅型场效应管,也称金属氧化物半导体三极管(Metal,Oxide,Semiconductor,FET,简写..
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N insulated-gate field-effect transistor; a type of field-effect transistor having one or more semiconductor gate electrodes 绝缘栅场效应晶体管 → compare JFET
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