...金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备微电子和光电器件的关键技术。在MOCVD反应器中,存在着大的温度差和浓度差,将引发强烈的自然对流和浓度扩散。
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（4）MOCVD法 有机金属化学气相沉积法（MetalOrganic Chemical VaporDesposition，MOCVD）：是 一种利用有机金属热分解反应进行气相外延生长的方法。
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...大，性能已大大提高，其生产技术，通过液相外延扩散法(LPE )，气相外延(VPE )，分子束外延(MBE )，MOCVD (有机金属化学汽相淀积)，化学束外延(CBE )，和各种其他相结合的类型和其它过程，激光阈值电流下降到几百毫安到几十毫安，其寿命从几百到数万数千小时，...
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金属有机化学气相沉积（MOCVD，MetalOrganic Chemical VaporDeposition）就是在 CVD的技术基础上采用金属有机物作为蒸发源的材料制备技术Il引。
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LP-MOCVD 沉积 ; 气相外延 ; 低压mocvd ; 气相沉积法
MOCVD Epitaxy 磊晶制程工程师 ; 外延制程工程师 ; MOCVD外延生长
MOCVD系统 MOCVDsystem
mocvd reactor 有机金属化学汽相淀积反应器 ; mocvd反应器
TES DUV MOCVD 外延生长
mocvd system mocvd系统
MOCVD growth MOCVD生长
mocvd theory mocvd理论
MOCVD technique MOCVD生长技术
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The controlling technology trend for MOCVD system is analyzed.
分析了MOCVD设备控制技术的发展趋势。
Recent results with CBE show that CBE holds the potential as an important new epitaxial technique that goes beyond both MBE and MOCVD.
最近用化学束外延得到的结果表明CBE具有超过MBE和MOCVD的潜力而成为一种非常重要的新的外延技术。
MOCVD stands for Metalorganic Chemical Vapor Deposition, is one technology used to grow wafers from underlay with the MOCVD equipment.
MOCVD是金属有机化学气相沉积技术的简称，即通过MOCVD设备，在衬底上生长材料晶体的一种方法。
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