...ng Process CMP Process 9 33 Source:HongXiao 加热制程简介 加热制程简介 温度: 700~1200度 集中在前段制程(front-end process) 扩散, 氧化, 沉积, 退火处理 高温炉 : 扩散炉 矽的优点: 高温化性稳定 可进行高温扩散与氧化反应 早期IC制程的骨干 34 加热制程...
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中在前段制程
In the front section of the process
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