...MOS 器件中的热载流子 沟道热电子(Channel Hot Electron ) 衬底热电子(SHE) 漏极雪崩倍增热载流子(DAHC) 二次产生热电子 ( SGHE) 这些热载流子进入SiO2后 形成栅电流和衬底电流。 2.3 器件的可靠性与金属化自身的稳定性及与相接触 材料的相容性紧密相关。
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二次产生热电子
Hot electrons are produced twice
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