典型线宽在亚微米(小于1u到O．5u)和深亚微米(O。5u以下至0．05u)尺寸的集成电路。目前典型的亚微米集成电路线宽为0．8u、0．5u，典型的深亚微米集成电路线宽为0．35u、0．25u、0．18u，小于0．1u的集成电路尚在实验室研制之中。一般认为线宽小于0．05u(50纳米)以下，将由量子效应需要有新的原理，超出了现在的微电子技术范围。(1微米(u)；干分之一毫米(mm)，1纳米(nm)=干分之一微米)
深亚微米集成电路的互连线延迟是设计中需十分重视并必须解决的问题。
Interconnect wire delay is a very important question that must to be resolved in deep submicron IC design.
伴随着深亚微米集成电路时代的来临，芯片的特征尺寸已经缩小到纳米尺度。
With the advent of the era of deep sub-micron IC, the feature size on the IC chip is shrunk to nanometers.
该肖特基二极管及其制造方法能够满足金属氧化物半导体工艺的需求，并适用于亚微米集成电路的集成生产。
The Schottky diode and the method of making same same can meet the requirements of metal-oxide-semiconductor process and be suitable for integrated production of sub-micro IC also.
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