主要的单粒子事件可以概括为以 下三种： 1）单粒子翻转（Single Event Upset）：单粒子翻转事件是一种随机的 事件，当高能带电粒子轰击电子元器件时，就会造成PN结瞬时充 放电，从而导致存储单元信息发生翻转...
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...航天器在轨寿命和可靠 性的重要因素【¨】，比如美国某卫星在1988＂--1992年间发生了约9000次单粒子翻转（Single Electron Upset，SEU）事件。因此，提高SRAM的抗单粒子能力，正成为当前电子元器件抗辐射加固领域的 研究重点之一。
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单粒子翻转效应 Single Event Upset ; SEU
sram单粒子翻转 sram single event upset
尤其是单粒子翻转效应 SEU ; single-event upset
单粒子翻转率 SEU rate ; single event upset rate
单粒子多位翻转 single event multiple bit upset
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获得了单粒子翻转和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系。
The incident Angle dependences of the cross sections for single event upset and single event latchup are presented.
探讨了利用FPGA回读功能实现抗单粒子翻转的设计方法。
The paper also introduces the function of reading back configuration data from FPGA, this function can verify the Single Event Upset.
建立了中子单粒子翻转可视化分析方法，对不同特征尺寸（0。
The SEU effects of six CMOS SRAMs with different feature size(from 0.
在一些电磁、辐射环境比较恶劣的情况下，大规模集成电路(IC)常常会受到干扰，例如宇宙中单个高能粒子射入半导体器件灵敏区，使器件逻辑状态翻转：原来存储的"0"变为"1"，或者"1"变为"0"，从而导致系统功能紊乱，严重时会发生灾难性事故。SEU造成的逻辑错误不是永久性的，也被称为。 最容易发生SEU的是像RAM这种利用双稳态进行存储的器件，其次是CPU，再其次是其它的接口电路。随着芯片集成度的增加，发生SEU错误的可能性也在增大。在特定的应用中，SEU已经成为一个不能忽视的问题。 典型的SEU是，由于太空中高能粒子的轰击，SEU已经成为星载计算机中最常见的错误。
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