由于InSb(110)表面的界面性质及其在工艺上和理论上的重要性,长期以来,人们运用扫描隧道显微镜(STM)、弹性低能电子衍射(ELEED)、角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)等手段来研究它的表面原子和电子的性质[2].目前被广泛接受的InSb(110)表面弛豫的模型由Chadi提出.
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非弹性低能电子衍射 inelastic low energy electron diffraction
弹性低能量电子衍射 ELEED
弹性低能电子衍射
Elastic low-energy electron diffraction
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