极紫外光刻（Extreme Ultra-violet），常称作EUV光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的紫外线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。
在7nm技术路线的选择上，台积电务实地在第一代放弃EUV（极紫外光刻），同时上马整合扇出封装技术提升可靠度，最终使得自己的进度事实超越三星，从而赢下包括华为、AMD、苹果等一众关键客户。
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3、极紫外光刻（EUV，Extreme Ultra-Violet Lithography） 又称作软X射线（Soft X-ray）。极紫外光的波长为11～14nm，可以大幅提升分辨率。
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极紫外光刻技术 EUVL
第一次行使极紫外光刻 EVV
极紫外光刻机 extreme ultra violet lithography
极紫外投影光刻 EUVL ; Extreme Ultraviolet Lithography
由于材料的吸收和低折射率问题，极紫外光刻所采用的光学系统发展趋势是全反射型。
All-reflective optical systems, due to their material absorption and low refractive index, are used to create the most suitable devices in extreme ultraviolet lithography (EUVL).
目前，基于极紫外多层膜的反射式光学元件，已经全面进入了以极紫外光刻与极紫外天文观测为核心的实用化阶段。
Reflective optical elements based on multilayer coatings are have entered the practical stage that take EUV lithography and EUV astrophysics as the core.
本文探讨了一种可应用于极紫外光刻光学系统的离轴五反射镜系统，它在光学质量、自由工作距离方面满足了极紫外光刻商业化的要求。
A new design of off-axis five mirrors optics was presented which was used to extreme-ultraviolet lithography. It was very suit for the commercialization at optical quality and free work distance.
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