极紫外光刻技术(EUVL)是以波长11-14纳米的软X射线为曝光光源的微电子光刻技术。虽然该技术最初被称为软X射线曝光，但实际上更类似于光学曝光。
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极紫外光刻技术
Extreme ultraviolet lithography
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