(5)V注入形成轻掺杂漏区(Lightly Doped Drain,LDD)NMOS,N+(P+)注入形成NMOS源漏区(PMOS源漏区),各向异性刻蚀形成栅极边墙区(Side...
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注入形成轻掺杂漏区
Light doping leakage zone is formed by injection
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