【热化学气相沉积法】

热化学气相沉积法

Thermal CVD

经过我们的研究，目前已经可以利用 热化学气相沉积法 ( thermal CVD )，并配合多层催化金属层，在低温的环境下成长密度均匀的奈米碳管。

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thermal chemical vapor deposition

采用热化学气相沉积法(thermal chemical vapor deposition,TCVD)在经过高温氨气处理后的硅基铁纳米薄膜表面实现片状碳纳米带的催化生长。通过场发射 .

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HCVD

等离子增强化学气相沉积法（PECvD）以及 热化学气相沉积法 （ HCVD ）相对来说更适合于大面积CNTs的制备，因此是目前制备ACNTs的主要方法。

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TCVD

采用热化学气相沉积法(thermal chemical vapor deposition,TCVD)在经过高温氨气处理后的硅基铁纳米薄膜表面实现片状碳纳米带的催化生长。通过场发射 .

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短语

采用热化学气相沉积法 thermal chemical vapor deposition ; TCVD

热丝化学气相沉积法 HFCVD ; HWCVD ; HFCVD or HWCVD ; Hot filament chemical vapor deposition

热化学气相沉积法

Thermochemical vapor deposition

以上为机器翻译结果，长、整句建议使用人工翻译。

从简化步骤、降低成本的角度出发，采用快速热化学气相沉积（RTCVD）法在低纯颗粒带硅（SSP）衬底上制备出了多晶硅薄膜太阳电池。

Polycrystalline silicon thin film solar cell by RTCVD on SSP substrate is prepared so as to simplify the process and lower the cost.

youdao

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