此些试验是针对由砷化铟镓(indium gallium arsenide)所制作的量子点进行的。此些研究人员以方阵列的方式，在特定位置彷制了各种直径的量子点。
基于2208个网页-相关网页
...在要求探测上升时间(探测器信号从峰值10%上升到峰值90%所需的时间)极快的电信应用中，通常使用砷化铟镓(InGaAs)作为探测器材料。
基于607个网页-相关网页
磷砷化铟镓 InGaAsP
氮砷化铟镓 InGaAsN ; GaAsInN
锑砷化铟镓 InGaAsSb
砷化镓铟 InGaAs
铟砷化镓 InGaAs
磷铟砷化镓 GaAsInP
磷砷化镓铟 InGaAsP
砷化铝镓铟 AlGaInAs ; InGaAlAs
砷化铝铟镓 AlInGaAs
砷化铟镓
Indium gallium arsenide
以上为机器翻译结果，长、整句建议使用 人工翻译 。
Luxtera的设计消除了使用昂贵的III - V化合物半导体材料(如砷化镓和磷化铟)的必要。
Luxtera's design eliminates the need to use expensive group iii-v compounds, such as gallium arsenide (GaAs) and indium phosphate (InP), in the semiconductors.
youdao
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动