...二叔丁基过氧化物(Di-tert-butyl-peroxide):作为聚合反应的引发剂等,建议归于类别3(致突变); l砷化镓(Gallium arsenide):作为微电子中的集成电路,建议归于类别2(生殖毒性)和类别3(致癌); l磷化铟(Indium phosphide):作为半导体材料,建议被...
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...加上没有切入车用市场,因此规模不大,但看好节能法规带动下,台厂可望切入AC/DC供应链,提高产值规模。 另外,由于砷化镓(GaAs)是半导体材料的一种,具有高频、抗辐射、耐高温等特性,可做为高频及无线通讯之IC元件,其中最主要应用在行动电话与无线网路产品...
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一 、 引言 空间站生产砷化镓(AsGa)和碲镉汞(CTeHgd)是我国航天技术和半导体生产的重 要研究课题。
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目前发光半导体资料主要由III-V族元素组成,例如磷化镓(GeachP)、砷化镓(GeachAs), led二极管参数。氮化镓等等。
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短语
磷砷化镓
GaAsP
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gallium arsenide photphide
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Ga realAsP
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Ga newAsP
砷化镓激光器
[激光]
gallium arsenide laser
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gaas laser
;
GaL
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gaas laser,gaas laser
砷化镓场效应晶体管
gaas fet
;
gallium arsenide fet
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gallium arsenide field effect transistor
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GaAs Field-Effect Transistor
砷化镓逻辑门
gaas logic gate
;
gallium arsenide logic gate
砷化镓激光二极管
gallium arsenide laser diode
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gaas laser diode
;
gaas laser diode,gaas laser diode
铝砷化镓
AlGaAs
;
aluminium gallium arsenide
磷铟砷化镓
GaAsInP
铟砷化镓
InGaAs
砷化镓铝
AlGaAs
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GaAlAs
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GaAIAs
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aluminium gallium arsenide
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gaas
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At the moment, most of RF chips and ultra high-speed circuits are based on technologies such as GaAs, Bipolar Si, BiCMOS and so on.
目前射频芯片和高速光纤通信芯片绝大多数都是采用高速双极性硅工艺和砷化镓工艺。
参考来源 - 1.244GHz、0.25mm CMOS工艺可变分频比锁相环倍频器设计
gallium arsenide
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gaas
- 引用次数:12
It can detect X-ray, gamma-ray, laser pulse successfully. Our research work lays a good foundation on development of GaAs semiconductor and has great significance to the development of semiconductor detector in our country.
我们的研究工作为开发砷化镓单晶体的应用奠定了良好的基础,对国内半导体探测器技术的发展具有重大意义。
参考来源 - 砷化镓光电导探测器的研制及其电子辐照改性
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gallium arsenide
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gallium arsenide
gaas
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gallium arsenide
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gallium arsenide
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