Intel一直在研究将此刻普遍合用的形成晶体体管硅通道替换成某种化合物半导健康水平料，比如砷化镓铟(InGaAs)。今朝，此类形成晶体体管施用的是没有栅极媒质的肖特基栅极(Schottky gate)，栅极漏电现象非常紧张。
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磷砷化镓铟 InGaAsP
砷化铟镓 Indium Gallium Arsenide ; InGaAs
砷化镓铟单晶 indium gallium arsenide single crystal
铟砷化镓 InGaAs
磷铟砷化镓 GaAsInP
磷砷化铟镓 InGaAsP
氮砷化铟镓 InGaAsN ; GaAsInN
砷化铝镓铟 AlGaInAs ; InGaAlAs
锑砷化铟镓 InGaAsSb
砷化镓铟
Indium gallium arsenide
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Luxtera的设计消除了使用昂贵的III - V化合物半导体材料(如砷化镓和磷化铟)的必要。
Luxtera's design eliminates the need to use expensive group iii-v compounds, such as gallium arsenide (GaAs) and indium phosphate (InP), in the semiconductors.
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