第二代的穿透型平坦式(Punch Through Planar)IGBT(图1)在内部N-ch MOSFET导通时，电洞(Hole)从PNP型BJT的射极(Source)注入N-ch MOSFET的泄极(Drain)，使此部分电阻降低，此现...
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第二代的穿透型平坦式
The second generation of penetrating flat type
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