最后,研究定位在一种叫作铟镓砷化物(Indium Gallium Arsenide),简称InGaAs的合成材料上面。在合成材料中,电子运行的频率比在硅晶体中快数倍以上。
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铟镓砷化物
Indium gallium arsenide
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方形光二极管阵列包括四个集成在通用磷化铟(InP)衬底上的光二极管单片集成电路,采用低制造、集成与测试率的铟镓砷化物/磷化铟半导体工艺制造。
The Quad PD Arrays consist of four photodiodes monolithically integrated on a common indium phosphide (InP) substrate, and are fabricated using a low FIT rate InGaAs/InP semiconductor process.
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