特性指标，有鉴于此，本文提出全世界第一个以分子束磊晶法(MBE)成长锑砷化铟镓(InGaAsSb)为通道的 高电子移动率电晶体(HEMT)，一方面摒除了氮元素的掺杂会造成元件内载子移动速度严重下降的缺点，
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砷锑化镓铟 indium gallium antimonide arsenide
锑砷化铟镓
Indium gallium antimonide
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