...的特征尺寸逐渐减小为基础的.当栅极SiO2介电层的厚度减小到原子尺度大小时，由于量子效应的影响，SiO2将失去介电特性，因此必须寻找一种新的高介电常数（high-K）的氧化物材料来代替它.如今世界上许多国家都开展了替代SiO2的介电氧化物材料的研究工作.
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高致密性与 高介电常数 ( High-k Dielectric )的特性，进而能提升施加至控制电极层120、 122、124、126、128、150的电压范围以及开关电流比，以达到更精确地调整色温的目的。
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...的同时以高产量淀积高介电常数(Hi-K)的介电层的方法以及形成的层。 背景技术 在先进的半导体器件制造中目前采用高介电常数(Hi-K)的材料。例如，Hi-K材料是例如用在无源器件(特别是金属-绝缘体-金属的电容器)中的二氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)的替代介电材料。
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高介电常数金属闸极 HKMG
高介电常数电容器 [电] high-K capacitor
高介电常数材料开发 High K material
高介电常数栅介质 MHK
高介电常数/金属闸极 High-k Metal Gate
高介电常数薄膜 high dielectric constant thin film
高介电常数氧化物材料 high-k oxide material
高频介电常数 high frequency dielectric constants
, PLD has received much attention and has been applied. High dielectric constant Ta205-based thin film, which prepared by PLD, has wide application prospect in the area of high-density DRAM manufacture, and maybe enlarge the capability of DRAM.
用脉冲激光沉积法制备的高介电常数Ta2O5基薄膜，在制造计算机高密度动态随机存储器方面有广阔的应用前景，可能大大的增加计算机内存容量。
参考来源 - 脉冲激光淀积法制备介电存储薄膜的研究Therefore, it is meaningful to use the percolation theory to prepare the material with high dielectric constant.
因此，渗流理论对于制备高介电常数聚合物基复合材料是十分有意义的。
参考来源 - 渗流型β相聚偏氟乙烯基复合厚膜材料的制备和介电性能研究The giant dielectric permittivity of CCTO ceramics either sintering in various atmospheres or using different doped states was attributed to internal barrier layer capacitance effect.
不同气氛下烧结和不同掺杂条件下得到的CCTO陶瓷高介电常数都是由内部阻挡层电容器效应造成的。
参考来源 - 高介电氧化物CaCu·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
高介电常数具有氢键液体的特征。
The high dielectric constant is characteristic of hydrogen bonded liquids.
高介电常数薄膜广泛应用于动态随机存储器中。
High dielectric constant thin films have been used in high-density dynamic random access memories widely.
反应体系中加入高介电常数的溶剂不利于邻苯二酚的叔丁基化。
The addition of solvent with high dielectric-constant would retard catechol tert-butylation.
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