关键的技术为 高介电常数材料开发(High K material)、金属闸极(Metal Gate)、全空乏绝 缘层覆矽(FD SOI, Fully Depleted Silicon on Insulator)及鳍式场效电晶体 (FinFET) 。
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高介电常数材料开发
High dielectric constant material development
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