...面的硅材料而言， 每平方厘米有10 15 个原子，即其表面态密度为10 15 /cm 2 ，其为恒定值[2] (4) 俄歇复合(Auger Recombination)：俄歇复合过程是有电子-空穴对复合所释放出 上海交通大学硕士学位论文 – 19 – 的能量以及动量转换至第三个粒子而发生的。
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他们总结到，光衰（LED droop）是由俄歇复合（Auger recombination）引起的。俄歇复合是一种在半导体中发生的，三个带电粒子互相反映反应但不放出光子的现象。
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Proper period thickness of InAs and GaSb was contrived to suppress the Auger recombination effectively.
设计合适的InAs和GaSb的周期厚度,以便有效地抑制俄歇复合。
参考来源 - InAs/GaSb体系非制冷红外探测材料研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
But as the well width increase, level filling is the main reason for the red-shift of spectrum, Auger recombination and carrier delocalization are the main reason for lower efficiency.
当阱宽较大时，能级填充是导致光谱红移的主要原因，俄歇复合与载流子离域是导致效率下降的主要原因。
They have many interesting physical properties, such as symmetric band structure, strong temperature dependences of energy gaps, absence of a heavy hole band, and low Auger recombination rates, etc.
它们具有很多独特的物理性质：对称的能带结构、强烈依赖于温度的带隙、一个重空穴带的缺失、低的俄歇复合率等。
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