因GaNP合金具有巨大的 带隙能量弯曲系数(bandgap bowing parameter),掺入少量的P就能有效地调制其带隙变窄,形成一 种III-V氮化物窄带隙新材料,从而可实现从紫外到红外波长范围的光器件和白光LED...
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