与体硅材料相比, SOI 材料的最大不同 就是在 SOI 材料中存在着一层绝缘层( buried oxide layer ,BOX) . 而这层BOX 将对 Si Ge 薄膜的弛豫过 程 产生极大的影响.
基于2个网页-相关网页
buried-oxide layer 的薄埋氧化物层
double buried oxide layer 双介质埋层
buried oxide layer
埋藏氧化层
以上为机器翻译结果，长、整句建议使用 人工翻译 。
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动