...:在电子制造行业,随着产品性能的不断提高,对表面质量的要求越来越高。抛光是表面平整化加工的重要手段。与现有的抛光技术相比,化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,简称CMP)是目前广泛采用的并且是几乎唯一的全局平面化技术。
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目前,化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)是达成全局平坦化的最佳方法,尤其是在半导体制作工艺进入亚微米领域后,化学机械研磨已成为一项不可或缺的制作工艺技术。
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2 中文摘要 化学 机械 研磨 ( Chemical Mechanical Polishing ) 是目 化学 研磨 search engine, 化学 研磨 Search, Free 化学 研磨 Ebook, PDF, TXT, DOC, TXT, PPT downloads..
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Chemical Mechanical Polishing(CMP); abrasive particle; modeling; wafer;
机械化学抛光; 磨粒; 建模; 芯片;
Polishing pad conditioning is very important for chemical mechanical polishing to improve the performances of a pad.
抛光垫修整是化学机械抛光的重要过程之一。
A chemical mechanical polishing pad comprising a water-insoluble matrix which comprises (a) a styrene polymer and (b) a diene polymer.
一种化学机械抛光垫,包含由(A)苯乙烯聚合物和(B)二烯聚合物构成的非水溶性基质。
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