... bottom of conduction band 导带底 conduction band edge 导带边缘 empty conduction band 好位于价带之上的空导带 ; 刚佳位于价带之上的空导带 ...
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当能量 在位于V (z = 5 nm) = 0.5 eV 之导通能带边缘 (conduction band edge) 之下 时 由传统之『半边无限电子气体模型』 (SEG) 得来的状态密度为零。然尔，正解状 态密度在能带边缘之下并不为零。
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