...件尺寸的缩小，制程容差(生产合格芯片所能容忍之公差)也相应变小，使迭对精准度和组件尺寸一致性(critical dimension uniformity, CDU)等参数变得更严格。
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critical dimension uniformity
临界尺寸均匀性
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A method for improving the critical dimension uniformity of a patterned feature on a wafer in semiconductor and mask fabrication is provided.
一种在半导体与罩幕制造中改善晶圆上的图案化特征结构的临界尺寸均匀性的方法。
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