本发明涉及一种用以改善蚀刻中止层与金属导线间的粘着性的工艺与结构，特别是涉及一种金属 镶嵌工艺 ( Damascene Process )，且适用于单金属镶嵌或双重金属镶嵌的工艺。
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我们正在研究沉积和研磨金属层时 大马士革工艺 ( damascene process ) 所需的电子化学机械沉积。此外，为了避免污染孔隙电介质材料 (porous dielectric material)，我们还需要新型低黏度清洁化合物。
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dual damascene process 制程
damascene process
波纹的过程
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The protection plate (10) is formed within the first dielectric layer (14) using a damascene process.
保护板(10)利用镶嵌工艺在第一介质层(14)中形成。
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