首先,铜能在硅的能带(Energy Band Gap)中形成深能级(Deep Level),电极的性能显著变差。而铜在 SiO2 中变成铜离子,低温下很容易扩散。
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By Deep Level Transient Spectroscopy(DLTS),Capacitance-Voltage(CV) and theoretical simulation,the interface characteristics and anneal effect of samples were investigated systematically.
通过深能级瞬态谱(DLTS)和高频电容-电压(CV)测试,并配合理论模拟,对样品的界面特性和退火特性进行了系统的研究。
参考来源 - High·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress
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