...层上，结果造成浅掺杂外延层中存在极大的电场，载流子在高场作用下漂移渡越该浅掺杂层，故通常将其称作为漂移区（Drift Region），这是新型功率半导体器件所共有的一个特点。 漂移区决定了器件导通时的电压降、功率损耗以及器件的静态和动态特性。
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collector drift region 集极漂移区
N-drift region 漂移区
drift-region 漂移区
thin drift region 薄漂移区
step drift region 阶梯漂移区
drift region length 漂移区长度
Drift Region Thinned 减薄漂移区
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The drift drain resistance model is derived from the free carrier concentration analyzing in the drift region.
以单位面积下漂移区自由载流子浓度为基础，得出漂移区电阻的解析模型。
The new structure features high breakdown voltage, low on-resistance , and charge balance in the drift region.
结果表明这种结构具有高的击穿电压、低的导通电阻和漂移区中电荷平衡的特点。
Principle and method for designing high voltage thin film SOI devices with linearly doped drift region are given.
给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜soi器件的设计原理和方法。
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