dual-stress strained silicon
Intel 32nm制程同时改用了第四代Strained Silicon(应变硅)技能，用SiGe(硅锗)、Dual-Stress Strained Silicon(双应力应变硅)和先进的应变记忆技能，可以容或有用提高晶体管的开关速度和电源效率，此一改变将可在运作时脉及功耗体此刻获益重大改善。
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这两家公司表示，应用这种双应力应变硅(dual-stress strained silicon)技术的芯片将从明年初开始出货。它们说，与现有的应变硅技术相比，工厂采用这种改进技术的花费不高，但半导体的性能却可以提升12...
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dual-stress strained silicon
双应力应变硅
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