四、电子束直写光刻(EBL,Electron Beam Direct-Write Lithography)电子束的能+量越高,波长越短。一般为0.1nm。
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EBL Electron Beam Direct-Write Lithography 电子束直写光刻
direct write electron beam lithography 直写式电子束光刻
electron beam direct-write lithography
电子束直写光刻
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