最初几年，我发表了几篇关于InGaN、AlGaN、AlInN等三元氮化物能带间隙（Energy Band Gap）弯曲系数（Bowing Parameter）的论文，至少有5篇高引用率SCI论文[59]，并且时常收到各国学者来信，与我讨论这一方面的学术问题...
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能隙 （bandgap或energy gap）也译作 能带隙 （energy band gap）、 禁带宽度 （width of forbidden band），在 固态物理学中泛指 半导体或是 绝缘体的 价带顶端至 传导带底端的能量差距。
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...量区域, 这个空能区由 充满电子的价带顶( 价带缘) 一直伸展到空的导带 底( 导带缘) , 被称为禁带宽度或带隙能( energy band gap, Eg) , Eg 在数值上等于导带与价带的能 级差。一些半导体化合物的Eg 及导带和价带的 能级示于图1。
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energy band gap difference 能隙 ; 能量带间隙
energy band-gap 禁带宽度
band-gap energy 频带隙能量 ; 带隙能
band gap energy 能隙 ; 带隙能 ; 带隙
eg band-gap energy 禁带宽度eg
The invention provides a method for increasing the energy band gap of a hydrogenated amorphous silicon thin film, which adds fluorine elements into the amorphous silicon materials.
本发明的提供了一种增加氢化非晶硅薄膜能带隙的方法，将氟元素加入到非晶硅材料中。
The thin film of the invention is provided with wider energy band gap, and solar cells provided with the thin film can significantly improve the photoelectric conversion efficiency and stability.
本发明的薄膜具有更宽的能带隙，具有这种薄膜的太阳能电池能够显著提高光电转换效率和稳定性。
The dispersion curves showed that plasma photonics crystal has the structure of photonic energy band and energy gap.
从得到的色散曲线看到等离子体光子晶体具有光子能带和能隙结构。
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