...客户进行量产,该制程结合了193奈米浸润式曝光显影制程、应变矽晶(Silicon strains)以及超低介电系数(Extreme low-k dielectric,ELK)元件连接材料等优势。台积电计划先推出45奈米低耗电量(LP)制程.
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extreme low-k dielectric
极低k介电介质
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