AT89C2051具有2k字节闪速可编程可擦除只读存储器(FLASH EEPROM)和128bytes的随机存取数据存储器(RAM)，可重复擦写10000次，数据保存时间10年，工..
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复位期间该引脚若为低电平，则工作在微控制器方式下，并从内部程序存储器（FLASH EEPROM）的0000h开始程序执行，若在复位期间为高电平，则工作在微处理器方式下，并从外部程序存储器的0000h开始程序执行。
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...可编程读写存储器(EPROM) 7.5.2电可擦除型可编程读写存储器(EEPROM或E2PROM) 7.5.3闪烁型电可擦除可编程读写存储器(Flash EEPROM) 7.6随机存取存储器 7.6.1静态随机存取存储器（SRAM） 7.6.2动态随机存取存储器（DRAM） 第8章微处理器 8.1微处理器的定义 8.2微...
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Fail to flash EEPROM 更新EEPROM失败
An improved flash EEPROM memory-based storage subsystem includes one or more flash memory arrays, each with a duplicity of data registers and a controller circuit.
一种改进的基于闪速EEPROM存储器的存储子系统，包括一个或多个闪存阵列，每一个都带有两个数据寄存器和一个控制器电路。
It also can record the failure information of SMPS in the virtual EEPROM using flash memory.
它也能够用快闪存储器构成的虚拟EEPROM记录开关电源的故障信息。
With flash memory, also a type of EEPROM, the contents of the whole memory array, or of a portion of the memory, can be erased in one step, in contrast to the traditional, full-featured EEPROM.
与传统的全功能EEPROM相比，利用快闪存储器，整个存储器阵列或存储器的一部分的内容可在一个步骤中擦除。
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