... floating gate silicon process 浮栅硅金属氧化物半导体工艺 floating gate transistor 浮栅金属氧化物半导体晶体管 floating grid 自由栅极 ...
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极紫外线光可擦除可编程 ：它的核心部件就是一个浮栅 ROM（ UVPROM）晶体管（ Floating gate transistor）。浮栅晶体管的最重要的特性是它的阈值电压的可编程性。
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floating g gate transistor 浮栅金属氧化物半导体晶体管
The floating gate can only be accessed though another transistor, the control gate.
浮动门虽然只能进入另一个晶体管，控制闸门。
The threshold voltage of the transistor thus formed is controlled by the amount of charge that is retained on the floating gate.
如此形成的晶体管的阈值电压由保持在浮动栅极上的电荷量控制。
Impact ionization arises from a charge injector (25), defining a virtual diode (30) in the substrate (20) of a floating gate charge storage transistor (11).
碰撞电离通过一在一浮栅电荷存储晶体管(11)的衬底(20)中限定一虚拟二极管(30)的电荷注入器(25)而产生。
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