在大部分高频通讯系统中,GaAs FET(场效应晶体管)和GaAs HBT(异质结双极晶体管)在RF/微波产品中处于重要地位,并在此领域激烈竞争。然而,由于工艺成本等原因,GaAs技术要取得高产额、高集成是很困难的。
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GaAs HBT Epi Wafer 砷化镓异质接面双载子电晶体磊晶片
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