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A detailed principle and a rigorous analysis of a new noise, the gate-induced noise, in pixel MOSFET of CMOS imagers are provided.
采用系统研究方法来分析包括MOS器件的沟道噪声和感应栅噪声在内的 CMOS低噪声放大器中的噪声，并提出了一个新的噪声系数解析式。
A systematic approach is used to analyze the noise in CMOS low noise amplifier (LNA), including channel noise and induced gate noise in MOS devices.
采用系统研究方法来分析包括MOS器件的沟道噪声和感应栅噪声在内的CMOS低噪声放大器中的噪声，并提出了一个新的噪声系数解析式。
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