若没有这些覆盖层,则需要两种不同的金属来制造电晶管P和N的电学特性,在以铪(Hafnium)为基础的 闸极介电层 ( gate dielectric )与金属闸极之间引入超薄的覆盖薄膜(cap film),原子层的电荷将会影响介电层和金属之间的相互作用。
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Gate Dielectric Technology 闸介极科技
transistor gate dielectric 制作电晶体闸极电介质
gate dielectric layer 栅极介电层
The results show that the larger the gate dielectric permittivity is, the lower the minimum surface potential is, thus enhancing the capability of the gate to control the channel.
模型的研究结果表明:相同结构参数下,栅介质介电常数增大,最小表面势值减小,栅控能力增强。
参考来源 - 纳米SOI MOSFET的结构设计和性能分析Therefore it is an essential approach to search for a new kind of MOSFET gate dielectric materials with high dielectric constant to replace SiO_2.
因此,必须寻找一种新的具有高介电常数的栅极电介质材料来取代传统的SiO_2。
参考来源 - 退火处理对LaAlO·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress
以上来源于: WordNet
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