二氧 化硅做为门和通道之间的绝缘层已经不适合,而需要用到Intel 称为高k 门电介质(High K gate Dielectric)的材料。这种材料对电子泄漏的阻隔效果是SiO2 的10000 倍。
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high-k gate dielectric 电介质
high-k gate dielectric materials 高k材料
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In this dissertation, we will investigate the application of several high-k dielectric and metal gate process technologies.
在本论文中，吾人将探讨数种高介电系数介电层与金属闸极的研究与应用。
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