ieee electron device letters
...等描述，“NROM：A Novel Localized Trapping,2-Bit Nonvolatile MemoryCell,”IEEE电子器件快报(IEEE Electron Device Letters)，第21卷第11期，2000年11月，第543-545页。ONO介电层延伸穿过在源极和漏极扩散之间的沟道。
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