一般而言,半导体产生电子-电洞对的机制有三种:光吸收,多声子吸收,和冲击离子化 (impact ionization).这刚好是电子-电洞对复合的三种机制 (光放射,多声子放射,和Auger过程) 的反过程.
基于16个网页-相关网页
electron impact ionization 电子轰击离子化 ; 电子轰击电离 ; [物] 电子碰撞电离 ; 电子轰击离子源
impact ionization switch 碰撞电离开关 ; 碰撞电分开关
single impact ionization 单撞击游离
ion impact ionization 离子碰撞电离
impact ionization detector [天] 撞击电离式微流星探测器
electron impact ionization mode 电子撞击离子化
electron impact ionization source 电子轰击电离源
impact-ionization detector 碰撞电离探测器
At that point, electric field is the strongest and impact ionization ratio is the highest.
该处电场最强,碰撞电离率最高。
参考来源 - 基于CMOS工艺的高压MOSFET的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
以上来源于: WordNet
It is unfavorable to study MS of aminoglycosides using electron impact ionization.
使用电子轰击离子化方法研究氨基糖甙类是不理想的。
Based on photoemission effect. we design a laser photoemission electron gun for electron impact ionization source of time of flight mass spectrometer.
基于光电效应原理。我们设计了一个新型脉冲激光光电子枪，它可以作为飞行时间质谱的电子碰撞电离的电离源。
Impact ionization arises from a charge injector (25), defining a virtual diode (30) in the substrate (20) of a floating gate charge storage transistor (11).
碰撞电离通过一在一浮栅电荷存储晶体管(11)的衬底(20)中限定一虚拟二极管(30)的电荷注入器(25)而产生。
应用推荐