...由 于这项差异会在接近导带底部的位置建立一个电子陷阱能级，进而产生了 一个复合中心，称为等电子中心（isoelectronic center）。这个复合中 心能大大地提升间接禁带半导体的辐帄跃迁几率。
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isoelectronic recombination center 等电子复合中心
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