...的研究兴趣，当三五族化合物半导体所掺入的氮含量很高而形成合金(alloy)态时，将不再视为过去的等电性掺杂(isoelectronic doping)，此时材料的物理性质将会有很大变化，图1为三五族化合物半导体之能隙与晶格常数关系图，细线部分为传统三五族化合物半导体部份。
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Germanium window with low absorption will be obtained through controlling donor concentration and doping isoelectronic im purity.
控制施主浓度和掺杂等电子杂质，可以获得低吸收锗窗。
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