，他们通过对不同N含量 以及选择激发下的GaN（As，P）中N的等电子陷阱 （isoelectronic trap）的光谱变化，观察到当N含量很低 时，N是以等电子陷阱的形式存在于材料中，随N含 量的增加，NN对（NN。
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