另外一种结构就是垂直结构，如下图，采用激光剥离技术(Laser Lift-off) 剥离氮化镓外延层和蓝宝石村底，然后使用晶片粘贴技术(Wafer Bonding)和高 导热的金属基底粘合。
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蓝宝石基板移除方法中， 雷射剥离 (laser lift-off)方法为最方便且最有效率之方法。雷射高温使氮化镓产生热分解(thermal decomposition)进而使蓝宝石与氮化镓分离。
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而近来已有大功率LED的出产，就是利用新改良的激光溶解（Laser lift-off）及金属黏结技术（metal bonding），将LED磊晶晶圆从GaAs或GaN长晶基板移走，并黏结到另一金属基板上或其他具备高反射性及高导热性...
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We achieve fast processing of laser lift-off by heating the substrate which can lower threshold density and magnify the facula.
通过加热衬底温度,减小激光剥离的阈值功率密度,放大光斑,实现快速的激光剥离。 本论文得到国家自然科学基金60276029和福建省自然科学基金A0210006的资助。
参考来源 - GaN LED器件外延膜的激光剥离的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
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