Latch up 最易产生在易受外部干扰的I/O电路处, 也偶尔 发生在内部电路 Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线 GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互 影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和 GND之间产生大电流 随着IC制造工艺的发展, 封装密度和集成度越来越高, 产生Latch up的可能性会越来越大 Latch up 产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的
集成电路锁定效应和试验方法标准研 - 硬件电路设计 - 优领域 - 在优领域,找到您想要的! 关键词 集成电路 锁定 标准 [gap=492]Keywords: integrated circuit; latch up; standard
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Latch-Up Effect 锁效应 ; 闩锁效应
latch up phenomenon 堵塞现象
latch-up-free 实现无闭锁
latch-up protection 闭锁保护 ; 闩锁保护
Standard Static Latch-up 标准静电闭锁效应
Single Event Latch-up 锁定 ; 单一事件锁定
Latch-up [电子] 闩锁效应
single event latch up 仍保持无单事件锁定
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The triggering voltage can be improved by up to one order of magnitude. This conclusion is proved in practical static latch up test.
这种保护结构可以将闩锁的触发电压提高一个数量级,在实际的闩锁静态测试中得到验证。
Controlled hole injection LIGBT (CI LIGBT) is proposed in the paper, which can effectively control the hole injection with high anode voltage, and its latch up free characteristics can be improved.
本文提出空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管(CI LIGBT),可有效控制高压下阳极区空穴注入,提高器件的抗闩锁性能。
"Lift the latch," called out the grandmother, "I am too weak, and cannot get up."
“把门闩拉开,”奶奶喊道,“我太虚弱了,起不来。”
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